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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFH90N65X3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFH90N65X3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Bereitschaftszeit: 175ns
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 90A
Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 960W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 95nC
Technologie: HiPerFET™;X3-Class
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 150A
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 650v
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