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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFP10N60P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFP10N60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 120ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,74Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 32nC
Kanal-Art: stark
Weitere Suchbegriffe: mosfet 600v, mosfet, ixys mosfet
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