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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFQ60N60X
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFQ60N60X
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 890W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 143nC
Kanal-Art: stark
Weitere Suchbegriffe: mosfet 600v, mosfet, ixys mosfet
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