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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFR36N60P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFR36N60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Fast-Recoverydiode
Fastrecoverygleichrichterdiode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: ISOPLUS247™
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 20A
Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 102nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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