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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGT16N170AH1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGT16N170AH1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 11A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Anschaltzeit: 35ns
Ausschaltzeit: 298ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 190W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 70nC
Technologie: NPT
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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