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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXKT70N60C5
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXKT70N60C5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 66A
Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 540W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: super junction coolmos
Gate-Ladung: 150nC
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.