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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTK200N10P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTK200N10P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Bereitschaftszeit: 100ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 200A
Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 800W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 240nC
Technologie: PolarHT™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 200a
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