Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns

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Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 700V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ultra junction x-class
Gate-Ladung: 12nC
Kanal-Art: anreicherungs