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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO268HV; 420ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTT3N200P3HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTT3N200P3HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268HV
Bereitschaftszeit: 420ns
Drain-Source Spannung: 2kV
Drainstrom: 3A
Widerstand im Leitungszustand: 8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 520W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: standard power mosfet
Gate-Ladung: 70nC
Kanal-Art: anreicherungs
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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