Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK

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Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: IPAK
Drain-Source Spannung: 700V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 80W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 11,8nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 8A