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Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV
Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYH12N250CV1HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYH12N250CV1HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247HV
Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 12A
Kollektorstrom im Impuls: 80A
Anschaltzeit: 32ns
Ausschaltzeit: 333ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 310W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: XPT™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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