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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 21A; 105W; TO247


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYJ20N120C3D1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYJ20N120C3D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 21A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Anschaltzeit: 20ns
Ausschaltzeit: 90ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 105W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 53nC
Technologie: GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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