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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYP10N65C3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYP10N65C3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 54A
Anschaltzeit: 44ns
Ausschaltzeit: 128ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 160W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 18nC
Technologie: Planar;GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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