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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1,56kW; PLUS247™


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1,56kW; PLUS247™
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1,56kW; PLUS247™
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYX200N65B3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYX200N65B3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: PLUS247™
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 1,1kA
Anschaltzeit: 170ns
Ausschaltzeit: 700ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 1,56kW
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 340nC
Technologie: GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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