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Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXYY8N90C3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYY8N90C3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Kollektor-Emitter-Spannung: 900V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 8A
Kollektorstrom im Impuls: 48A
Anschaltzeit: 39ns
Ausschaltzeit: 238ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 125W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 13,3nC
Technologie: Planar;GenX3™;XPT™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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