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Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA

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Produktinformationen

Transistor: N-JFET; unipolar; 0,46W; SOT23; 10mA

Artikel-Nr.:
8WUGW-MMBFJ110

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
MMBFJ110

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
SMD-Transistor

Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Gatestrom: 10mA
Widerstand im Leitungszustand: 18Ω
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 0,46W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Source Spannung: -25V

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