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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-MSC060SMA070S
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     MSC060SMA070S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Drain-Source Spannung: 700V
Drainstrom: 26A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 130W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 93A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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