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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8,2A; Idm: 32,5A; 96W; DPAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTD360N80S3Z
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTD360N80S3Z
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Diode
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 8,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 96W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 32,5A
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