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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 620A; 2,1W; DPAK


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTD5C446NT4G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTD5C446NT4G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 19A
Widerstand im Leitungszustand: 2,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 34,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 620A
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