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Transistor: IGBT; 900V; 60A; 170W; TO3P


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 900V; 60A; 170W; TO3P
Transistor: IGBT; 900V; 60A; 170W; TO3P
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NTE3322
Hersteller:
     NTE Electronics
Herst.-Nr.:
     NTE3322
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
transistor nte
Hersteller: NTE Electronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 900V
Gate - Emitter Spannung: ±25V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Anschaltzeit: 460ns
Ausschaltzeit: 0,6µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 170W
Weitere Suchbegriffe: igbt
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