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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 408A; 255W

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 408A; 255W

Artikel-Nr.:
8WUGW-NTH4L020N120SC1

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NTH4L020N120SC1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 84A
Widerstand im Leitungszustand: 28mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 255W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 0,22µC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -15...25V
Drainstrom im Impuls: 408A

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Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet

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