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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-P10F50HP2-5600
Hersteller:
     SHINDENGEN
Herst.-Nr.:
     P10F50HP2-5600
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: SHINDENGEN
Montage: THT
Gehäuse: FTO-220AG (SC91)
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 79W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Gate-Ladung: 20nC
Technologie: Hi-PotMOS2
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 40A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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