Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A

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Hersteller: SHINDENGEN
Montage: THT
Gehäuse: FTO-220AG (SC91)
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 5A
Widerstand im Leitungszustand: 1,65Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 52,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: unverpackt
Gate-Ladung: 10,5nC
Technologie: Hi-PotMOS2
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 20A