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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJMB210N65EC-R2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJMB210N65EC_R2_00601
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 19A
Widerstand im Leitungszustand: 0,21Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 34nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 42A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.