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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 18,8W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PJQ4526P-AU-R2
Hersteller:
     PanJit Semiconductor
Herst.-Nr.:
     PJQ4526P-AU_R2_002A1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Montage: SMD
Gehäuse: DFN3333-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 65A
Widerstand im Leitungszustand: 5,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 18,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 15nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 260A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.