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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 27,5A; Idm: 156A; 250W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN057-200B.118
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN057-200B,118
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet 200v
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;SOT404
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 27,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,165Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 135nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 156A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet d2pak
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