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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 167A; Idm: 944A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN1R7-40YLDX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN1R7-40YLDX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 167A
Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 194W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 109nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 944A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 200a, smd transistor
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