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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN2R0-30YL.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN2R0-30YL,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,55mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 97W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 30nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 667A
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