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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 575A; 106W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN2R6-30YLC.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN2R6-30YLC,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 2,35mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 106W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 575A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100a, smd transistor
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