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Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-QS5U34TR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     QS5U34TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT25
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 1,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 3A
Die Konditionen im Überblick1
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