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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RF4E100AJTCR
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RF4E100AJTCR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DFN2020-8S
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 13nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 36A
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