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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-RGT50NL65DGTL
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGT50NL65DGTL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 25A
Kollektorstrom im Impuls: 75A
Anschaltzeit: 65ns
Ausschaltzeit: 210ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 97W
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 49nC
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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