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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 28A; 13W; HSMT8


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RQ3E070BNTB
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ3E070BNTB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: HSMT8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 15A
Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 13W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,9nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 28A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor
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