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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 6A; 1W; TSMT3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RQ5E030AJTCL
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ5E030AJTCL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 3A
Widerstand im Leitungszustand: 109mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 2,1nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 6A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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