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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 40A; Idm: 80A; 262W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SCT2080KEGC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT2080KEGC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 40A
Widerstand im Leitungszustand: 0,117Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 262W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 106nC
Technologie: SiC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -6...22V
Drainstrom im Impuls: 80A
Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, mosfet, rohm mosfet
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