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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4,6A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI2323CDS-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2323CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -4,6A
Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -20A

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-23

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