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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5,7A; Idm: -20A; 1,6W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2333CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -5,7A
Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -20A
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot23
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