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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11,2A; 3,2W; SO8

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11,2A; 3,2W; SO8

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI4134DY-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4134DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 11,2A
Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 7,3nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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