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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SI4174DY-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4174DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

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Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 13,5A
Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor

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