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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,5A; 5W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,5A; 5W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6,5A; 5W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4435DDY
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4435DDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -6,5A
Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 50nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a
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