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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2,2A; Idm: 8A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4464DY-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4464DY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 2,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,26Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.