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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9,5A; 2,5W; SO8


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4894BDY-T1-E3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4894BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 9,5A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 38nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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