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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,5A; Idm: -20A; 33W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI7113DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI7113DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -3,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,134Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 33W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 55nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -20A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a
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