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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4,7A; Idm: -20A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI9407BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -4,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 22nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -20A
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