Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIA108DJ-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA108DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 46mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 19W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 13nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 30A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
Angebote (3)
Lagerstand
Mind.-Menge
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
Lager 8WUGW
3000
€ 7,90*
ab € 0,39*
€ 0,46*
3000
Frei Haus
ab € 0,44*
€ 0,51*
2 Tage
12673
1
€ 7,95*
ab € 0,26123*
€ 1,21286*
Preise: Lager 8WUGW
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
ab 3000 Stück
€ 0,46*
€ 0,55
pro Stück
ab 2500000 Stück
€ 0,39*
€ 0,47
pro Stück
Bestellungen nur in Vielfachen von 3.000 Stück
Mindestbestellmenge: 3000 Stück ( entspricht € 1.380,00* zzgl. MwSt. )
Lagerstand: Lager 8WUGW
Versand: Lager 8WUGW
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 7,90*
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 8WUGW
Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.