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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4,5A; Idm: 20A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIA910EDJ-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA910EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 7,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 16nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 20A
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