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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIB433EDK-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIB433EDK-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -9A
Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 13W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 21nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -20A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20v
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.