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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6,3A; Idm: 7A; 13W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIB456DK-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIB456DK-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 6,3A
Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 13W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 7A
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