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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIDR392DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIDR392DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 930µΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 188nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 200A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100a
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