Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIDR5102EP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIDR5102EP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 126A
Widerstand im Leitungszustand: 5,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 300A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
Angebote (3)
Lagerstand
Mind.-Menge
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
3000
Frei Haus
ab € 1,55*
€ 1,96*
Lager 8WUGW
3000
€ 7,90*
ab € 1,59*
€ 2,01*
2 Tage
6000
1
€ 7,95*
ab € 1,58*
€ 4,16*
Preise: Lager 8WUGW
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
ab 3000 Stück
€ 2,01*
€ 2,41
pro Stück
ab 15000 Stück
€ 1,59*
€ 1,91
pro Stück
Bestellungen nur in Vielfachen von 3.000 Stück
Mindestbestellmenge: 3000 Stück ( entspricht € 6.030,00* zzgl. MwSt. )
Lagerstand: Lager 8WUGW
Versand: Lager 8WUGW
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 7,90*
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 8WUGW
Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.